新型太赫兹半导体激光器研制成功_-大族粤铭激光-大型专业设备制造商

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新型太赫兹半导体激光器研制成功-

新型太赫兹半导体激光器研制成功-

    近日,美国哈佛大学和英国利兹大学的一个联合研究小组研制了一种新型太赫兹半导体激光器,其发射的太赫兹光波的准直性能比传统太赫兹光源有显著改善。该激光器的研发成功,为太赫兹科技的应用开拓了更广阔的空间。

    新型太赫兹激光器突破了传统材料的局限。研究小组刻了一组亚波长光栅,直接加倍了超材料晶面的光流量,设备以3太赫兹(百亿赫兹)的频率发射光线(波长为100微米,在可见光谱中属于远红外线),降低了半导体激光器的散射角度,同时保持了光能的高输出功率。

    这种超材料被直接嵌入光学设备的高吸收性砷化镓晶面上,人造光显示出深浅不同的微米光栅,各具不同的功能。浅蓝色的狭缝能将输出的激光功率加倍,导向并限定在晶体表面。

    太赫兹射线能穿透纸张、衣物、塑料和其它一些材料,在探测隐匿武器和生物制剂方面非常理想,在做肿瘤成像检测时对人体无伤害和副作用,还能探测材料内部诸如断裂之类的缺陷。如果应用在激光加工设备上,加工的精度可以提高数倍。

    研究的另一项重要意义就是这种超材料的光导作用。该设备产生的极强太赫兹光线,以直线光束导向激光晶面,这种超强的限定导向作用,还可应用于传感器和太赫兹光路。

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